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低Vf LEDチップAbout | 製品情報

低Vf LEDチップ Low Vf LED Chip

特徴 Characteristic

  • 低Vf設計
  • 1mmと1.4mmの2サイズラインナップ(大電流投入可能)
  • ワイヤを用いないフリップチップ設計(ワイヤスペース不要。高密度実装可能。)
  • Low Vf design
  • Two sizes, 1mm and 1.4mm (large current input is possible)
  • Flip chip (FC) design without wire (No wire space required, high density mounting is possible)

1.0mm x 1.0mm タイプ

電極パターン、チップサイズ ELECTRODE PATTERN AND CHIP SIZE ※単位 unit:μm

特性 ELECTRICAL AND OPTICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

波長

Wavelength

項目

Item

略号

Symbol

条件

Condition

最小

Min.

標準

Typ.

最大

Max.

単位

Unit

385nm 順電圧

Forward Voltage

Vf If

順方向電流

(Forward Current)

500mA

3.0 3.40 3.8 V
全放射束

Optical Power Output

Po 730 mW
ピーク波長

Peak Wavelength

λp 380 385 390 nm
395nm 順電圧

Forward Voltage

Vf If

順方向電流

(Forward Current)

500mA

3.0 3.35 3.8 V
全放射束

Optical Power Output

Po 770 mW
ピーク波長

Peak Wavelength

λp 390 395 400 nm
405nm 順電圧

Forward Voltage

Vf If

順方向電流

(Forward Current)

500mA

3.0 3.30 3.8 V
全放射束

Optical Power Output

Po 800 mW
ピーク波長

Peak Wavelength

λp 400 405 410 nm

技術資料 Technical Data

1.0mm x 1.0mmタイプ 技術資料

詳細な技術資料はこちらからダウンロードしてください。
Please download detailed technical document from here.

1.4mm x 1.4mm タイプ

電極パターン、チップサイズ ELECTRODE PATTERN AND CHIP SIZE ※単位 unit:μm

特性 ELECTRICAL AND OPTICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

波長

Wavelength

項目

Item

略号

Symbol

条件

Condition

最小

Min.

標準

Typ.

最大

Max.

単位

Unit

385nm 順電圧

Forward Voltage

Vf If

順方向電流

(Forward Current)

1000mA

3.0 3.50 4.0 V
全放射束

Optical Power Output

Po 1100 mW
ピーク波長

Peak Wavelength

λp 380 385 390 nm
395nm 順電圧

Forward Voltage

Vf If
順方向電流
(Forward Current)
1000mA
3.0 3.45 4.0 V
全放射束

Optical Power Output

Po 1400 mW
ピーク波長

Peak Wavelength

λp 390 395 400 nm
405nm 順電圧

Forward Voltage

Vf If
順方向電流
(Forward Current)
1000mA
3.0 3.40 4.0 V
全放射束

Optical Power Output

Po 1450 mW
ピーク波長

Peak Wavelength

λp 400 405 410 nm

技術資料 Technical Data

1.4mm x 1.4mmタイプ 技術資料

詳細な技術資料はこちらからダウンロードしてください。
Please download detailed technical document from here.

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